氧化镓有利于我国突破半导体材料技术壁垒

半导体材料到目前为止经历了三次更新换代，由第一代的硅，第二代的砷化镓和砷化铟，到第三代的碳化硅和氮化镓。硅因为导热性良好、自然储备丰富、价格低廉，所以是半导体材料初期最好的材料。可是随着科技的不断发展。与硅相比禁带宽度更宽、击穿电场更高、电子迁移率更高、抗辐射能力更强、适用于高频、大功率器件的第二代、第三代半导体材料逐渐成为市场主流，获得更多领域的应用。

根据运田金属公司数据显示，氧化镓是具有超宽禁带的半导体材料，禁带宽度能达到4.9-5.3eV，击穿场强是第三代碳化硅的3.2倍，巴利加优值是其的10倍左右，且成本只有第三代碳化硅的八分之一。同时具有优良的热和化学稳定性，被认为是第四代半导体材料，被大量的应用在高温、大功率、抗辐射电子器件领域。还被应用在新能源汽车、汽车充电桩、工业电机、固态能源转变、国防军工等领域。

半导体材料行业是个前期需要大量资金投入的产业，工艺门槛比较高而且突破技术壁垒困难，先行者可以筑起较高竞争壁垒。因为生产难度大、技术壁垒高和进入时间晚，所以我国的硅、碳化硅、氮化镓等半导体材料的发展远远落后于国际厂商，半导体材料市场基本被欧美日和中国台湾地区的企业所垄断，大部分都需要通过进口获得。

运田金属公司李经理认为，半导体氧化镓材料的出现有望解决这一困境，这将是我国在半导体材料领域实现超越并引领世界的好机会，预计氧化镓材料需求会在5-10年内获得爆发式增长。

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