氮化镓是一种无机物,是氮和镓的化合物。以碳化硅和氮化镓为代表的第三代半导体材料的优势在于能够适应高压,高频和高温的极端环境,性能相比前代有着很大的提高。
金属镓是制造砷化镓、氮化镓半导体材料的主要原料。我国是世界首位的金属镓生产、消费和出口国。2019年,我国原生镓产量356.6吨,消费量262吨,分别占全世界的95.2%和48.9%。
因为电信业和国防应用的不断发展,第三代半导体材料-氮化镓(GaN)的世界市场规模由7亿美元增长至8.2亿美元,其中射频器件市场规模达到7.4亿美元,电力电子市场规模是0.76亿美元。随着5G通信时代的推广应用,世界市场规模不久将超过10亿美元。
目前氮化镓(GaN)主要应用于射频器件和电力电子器件的制造。2019年,射频氮化镓的市场规模占氮化镓整体规模的比重达91%。氮化镓具有带隙宽、原子键强、导热率高、化学性能稳定、抗辐照能力强、结构类似铅锌矿、硬度很高等特点,在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用等方面有着广阔的应用前景。
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