在当下的数字时代，手机、电脑、电视、平板等科技消费产品已成为我们接收信息的一个重要视觉窗口。而它们的制作都离不开一种关键材料，那就是ITO靶材（Indium Tin Oxide，氧化铟锡）。在读懂ITO靶材之前，我们需要了解靶材这种高科技材料。
采用MMF法（过滤式成形模）制备超高密度ITO靶材。
(1) 素坯成形
将氧化铟氧化锡混合的原料粉末、离子交换水、5mm氧化锆球装入树脂制的罐中，球磨混合20小时；加入有机添加剂（聚羧酸系分散剂）混合1小时；1小时后添加适量蜡系粘结剂，球磨混合19小时。将所构成的磨浆（s1urry）注入到用以从陶瓷原料磨浆将水分减压排水以获得成形体的由非水溶性材料所构成的过滤式成形模，且将磨浆中的水分予以减压排水而制作成形体，并将此成形体进行干燥脱脂。
平板成型模
凹凸性状成形模
1.浆料 2.上成型框 3.下成型框 4.过滤膜（湿式滤布） 5.填充材料 6.排水孔
(2) 烧结
将铟氧化物与锡氧化物所组成的混合物以过滤式成形模法制备成形体，再经过干燥、脱脂（400℃～600℃下）等工艺，将所获得的成形体加热到1580℃～1700℃（优选1600℃～1650℃）进行烧结，并保持烧结温度300秒以下，接着降温到下一个温度范围1400℃～1550℃（优选1500℃～1550℃）进行烧结，并将第2次烧结温度保持3至18小时，之后再降温到室温。其特征包括：在该第2次烧结温度之保持时间经过至少1至4小时（优选2～3小时）的时间点设为非氧化性气体环境之步骤，且包括：以平均降温速度10℃～100℃／小时从该设计烧结温度降温到400℃（In2O3母相及微细In2Sn3O12粒子不会长大）的制造方法而获得高密度ITO烧结体。