ITO（Indium Tin Oxide，锡掺杂氧化铟）是一种应用广泛的透明导电材料。其具有优异的光学透过率和电导率，因此在液晶显示器(LCD)、触摸屏、光伏电池和有机发光二极管(OLED)等领域有着重要的应用。作为靶材，ITO用于溅射镀膜过程中，通过物理气相沉积（PVD）形成薄膜，这是一种高纯度、高精度的材料制备方法。
制备方法：
粉末冶金法：
混合：首先，将氧化铟(In2O3)与少量的氧化锡(SnO2)粉末按一定比例混合，这一比例直接决定了ITO靶材的最终电学性质。
球磨：混合后的粉末会进行球磨处理，以提高粉末的均匀性和反应活性，球磨时间和方式对粉末粒径和形貌有着重要影响。
压制：经过球磨的粉末随后会在高压下压制成型，成型的密度和均匀性直接影响后续烧结过程。
烧结：最后，将压制好的坯体在高温下进行烧结，高温烧结可以促使粉末颗粒之间发生固相反应，形成密实的ITO块材。
溶胶-凝胶法：
合成溶胶：选取合适的铟盐和锡盐作为原料，通过化学反应在溶剂中形成溶胶，控制反应条件可以获得高均匀性的溶胶。
老化：将形成的溶胶进行老化处理，以提高其稳定性，防止在后续的热处理过程中发生不均匀沉淀。
干燥与热解：经过老化的溶胶经过干燥，去除大部分溶剂后，通过热解除去有机物质，得到ITO前驱体粉末。
烧结：与粉末冶金法类似，将热解后的粉末进行高